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【48812】一种可控硅驱动芯片焚毁的剖析

来源:ub8娱乐登录网址    发布时间:2024-07-20 00:13:59

  驱动电路中加上芯片之后,芯片就会无端焚毁。本文就将从实例动身,介绍一种可控硅驱动

  电路如图1所示,板子焊好后单片机先输出脉冲测验硬件回路,但驱动回路一上电,ULN2003便会焚毁,运用ULN2003的规划许多,但为什么这个规划的却会焚毁呢?莫非在软件上要做处理?仍是电路有问题?

  上电时脉冲封闭,所以不会烧,但只需翻开脉冲就会焚毁,对脉冲变压器的原边电阻做丈量,数值只要7-8欧,经过核算之后电流必定超过了ULN2003的500mA,经过把脉冲变窄,但仍是烧芯片。要不要在原边串联一个限流电阻呢?

  下面临以上的比如做多元化的剖析。首要负载现已过重,串电阻限流。假如变压器自身的额外作业电压便是24V,那么应选用分立的功率晶体管驱动。变压器的额外作业电压便是24V,在串电阻限流后,脉冲没那有输入那么宽,只能选用分立的功率晶体管驱动。

  在24V供电的情况下,ULN2003的负载是3:1的触发变压器,由于可控硅触发电压是7V。此电路的要害之处是2003输出低电平时刻是几十微秒(详细数值参看可控硅触发变压器说明书)量级的,假如到了微秒一级,触发变压器饱和电流快速增大,2003焚毁是有必要的,不存在幸存的任何或许。

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