可控硅T在作业进程中，它的阳极A和阴极K与电源和负载衔接，组成可控硅的主电路，可控硅的门极G和阴极K与操控可控硅的设备衔接，组成可控硅的操控电路。

  可控硅是四层三端器材，它有J1、J2、J3三个PN结图1，能够把它中心的NP分红两部分，构成一个PNP型三极管和一个NPN型三极管的复合管图2

  当可控硅接受正向阳极电压时，为使可控硅导铜，有必要使接受反向电压的PN结J2失掉阻挠效果。图2中每个晶体管的集电极电流一起便是另一个晶体管的基极电流。因而，两个相互复合的晶体管电路，当有满足的门机电流Ig流入时，就会构成激烈的正反馈，形成两晶体管饱满导通，晶体管饱满导通。

  设PNP管和NPN管的集电极电流相应为Ic1和Ic2;发射极电流相应为Ia和Ik;电流放大系数相应为a1=Ic1/Ia和a2=Ic2/Ik，设流过J2结的反相漏电电流为Ic0,

  硅PNP管和硅NPN管相应的电流放大系数a1和a2随其发射极电流的改动而急剧改变如图3所示。

  当可控硅接受正向阳极电压，而门极未受电压的情况下，式(11)中，Ig=0,(a1+a2)很小，故可控硅的阳极电流IaIc0 晶闸关处于正向阻断状况。当可控硅在正向阳极电压下，从门极G流入电流Ig,因为满足大的Ig流经NPN管的发射结，来提高起点流放大系数a2,发生满足大的极电极电流Ic2流过PNP管的发射结，并提高了PNP管的电流放大系数a1,发生更大的极电极电流Ic1流经NPN管的发射结。这样激烈的正反馈进程敏捷进行。从图3，当a1和a2随发射极电流添加而(a1+a2)1时，式(11)中的分母1-(a1+a2)0,因而提高了可控硅的阳极电流Ia.这时，流过可控硅的电流完全由主回路的电压和回路电阻决议。可控硅已处于正导游通状况。

  式(11)中，在可控硅导通后，1-(a1+a2)0,即便此刻门极电流Ig=0,可控硅仍能坚持本来的阳极电流Ia而持续导通。可控硅在导通后，门极已失掉效果。

  在可控硅导通后，假如不断的减小电源电压或增大回路电阻，使阳极电流Ia减小到保持电流IH以下时，因为a1和a1敏捷下降，当1-(a1+a2)0时，可控硅康复阻断状况。