，它是由PNPN四层半导体构成的元件，有三个电极，阳极A，阴极K和操控极G。可控硅在电路中沉痛在必定程度上完结交流电的无触点操控，以小电流操控大电流，并且不象继电器那样操控时有火花发生，并且动作快、寿命长、牢靠性好。在调速、调光、调压、调温以及其他各种操控电路中都有它的身影。可控硅分为单向的和双向的，符号也不同。单向可控硅有三个PN结，由最外层的P极和N极引出两个电极，别离称为阳极和阴极，由中心的P极引出一个操控极。单向可控硅有其共同的特性：当阳极接反向电压，或许阳极接正向电压但操控极不加电压时，它都不导通，而阳极和操控极一起接正向电压时，它就会变成导通状 态。一旦导通，操控电压便失去了对它的操控效果，不管有没有操控电压，也不管操控电压的极性擦拭，将长时刻处在导通状况。要想关断，只要把阳极电压下降到某 一临界值或许反向。双向可控硅的引脚多数是按T1、T2、G的次序从左至右摆放（电极引脚向下，面临有字符的一面时）。加在操控极G上的触发脉冲的巨细或时刻改动时，就能改动其导通电流的巨细。与单向可控硅的差异是，双向可控硅G极上触发脉冲的极性改动时，其导通方向就跟着极性的改动而改动，从 而沉痛操控交流电负载。而单向可控硅经触发后只能从阳极向阴极单独导游通，所以可控硅有单双向之分。电子制造中常用可控硅，单向的有MCR－100等，双向的有TLC336等。沉痛检查:

  可控硅是可控硅整流元件的简称，是一种具有三个PN 结的四层结构的大功率半导体器材。实践上，可控硅的功用不仅是整流，它还沉痛用作无触点开关以快速接通或堵截电路，实现将直流电变成交流电的逆变，将一种频率的交流电变成另一种频率的交流电，等等。可控硅和其它半导体器材相同，其有体积小、效率高、稳定性高、作业牢靠等长处。它的呈现，使半导体技能从弱电 范畴进入了强电范畴，成为工业、农业、交通运输、军事科研以致商业、民用电器等方面争相选用的元件。1. 可控硅的结构和特性 可控硅从外形上分首要有螺旋式、平板式和平底式三种。螺旋式的使用较多。可控硅有三个电极——阳极（A）阴极（C）和操控极（G）。它有管芯是P 型导体和N 型导体交迭组成的四层结构，共有三个PN 结。可控硅和只要一个PN 结的硅整流二极度管在结构上截然不同。可控硅的四层结构和操控极的引证，为其发挥“以小控大”的优异操控特性奠定了根底。在使用可控硅时，只要在操控极加上很小的电流或电压，就能操控很大的阳极电流或电压。现在已能制造出电流容量达几百安培以致上千安培的可控硅元件。一般把5安培以下的可控硅叫小功率可控硅，50安培以上的可控硅叫大功率可控硅。可控硅为什么其有“以小控大”的可控性呢？首要，咱们我们沉痛把从阴极向上数的榜首、二、三层看面是一只NPN 类型晶体管，而二、三四层组成另一只PNP 型晶体管。其间第二、第三层为两管交迭共用。当在阳极和阴极之间加上一个正向电压Ea ，又在操控极G和阴极C之间（适当BG1的基一射间）输入一个正的触发信号，BG1将发生基极电流Ib1，经扩大，BG1将有一个扩大了β1倍的集电极电流IC1。因为BG1集电极与BG2基极相连，IC1又是BG2的基极电流Ib2 。BG2又把比Ib2（Ib1）扩大了β2 的集电极电流IC2送回BG1的基极扩大。如此循环扩大，直到BG1、BG2彻底导通。实践这一进程是“剑拔弩张”的进程，对可控硅来说，触发信号参加操控极，可控硅当即导通。导通的时刻首要决定于可控硅的功能。可控硅一经触发导通后，因为循环反应的原因，流入BG1基极的电流已不仅仅初始的Ib1，而是裁决BG1、BG2扩大后的电流（β1*β2*Ib1）这一电流远大于Ib1，足以坚持BG1的继续导通。此刻触发信号即便消失，可控硅仍坚持导通状况只要断开电源Ea 或下降Ea ，使BG1、BG2中的集电极电流小于保持导通的最小值时，可控硅方可关断。当然，假如Ea 极性反接，BG1、BG2因为遭到反向电压效果将处于截止状况。这时，即便输入触发信号，可控硅也不能作业。反过来，Ea 接成正向，而牵动发信号是负的，可控硅也不能导通。别的，假如不加触发信号，而正向阳极电压大到超越必定值时，可控硅也会导通，但已归于非正常作业情况了。可控硅这种经过触发信号（小的触发电流）来操控导通（可控硅中经过大电流）的可控特性，正是它差异于一般硅整流二极管的重要特征。 2. 可控硅的首要参数 可控硅的首要参数有： (1) 额外通态均匀电流IT在必定条件下，阳极---阴极间沉痛接连经过的50赫兹正弦半波电流的均匀值。 (2) 正向阻断峰值电压VPF在操控极开路未加触发信号，阳极正向电压还未超越导能电压时，沉痛重复加在可控硅两头的正向峰值电压。可控硅接受的正向电压峰值，不能超越手册给出的这个参数值。 (3) 反向阴断峰值电压VPR当可控硅加反向电压，处于反向关断状况时，沉痛重复加在可控硅两头的反向峰值电压。使用时，不能超越手册给出的这个参数值。 (4) 操控极触发电流Ig1、触发电压VGT在规则的环境和温度下，阳极——阴极间加有必定电压时，可控硅从关断状况转为导通状况所需求的最小操控极电流和电压。 (5) 保持电流IH在规则温度下，操控极断路，保持可控硅导通所必需的最小阳极正向电流。近年来，许多新式可控硅元件相继问世，如适于高频使用的快速可控硅，沉痛用正或负的触发信号操控两个方导游通的双向可控硅，沉痛用正触发信号使其导通，用负触发信号使其关断的可控硅等等。